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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 26.035 mm | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 512 words | 字数代码： | 512 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 75 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512X8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.16 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TBP28S42N | TI |
功能相似  |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TBP28S42MJ | TI |
功能相似 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM27S29PCB | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29SA | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29SA/B2A | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
|
| AM27S29SA/BRA | ROCHESTER |
获取价格 |
OTP ROM, 512X8, 40ns, Bipolar, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 |
|
| AM27S29SA/BSA | ROCHESTER |
获取价格 |
OTP ROM, 512X8, 40ns, Bipolar, CDFP20, CERAMIC, FP-20 |
|
| AM27S29SADC | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29SADCB | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29SAJC | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29SAJC | ROCHESTER |
获取价格 |
OTP ROM, 512X8, 30ns, Bipolar, PQCC20, PLASTIC, LCC-20 |
|
| AM27S29SAJCB | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
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