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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.78 |
| 最长访问时间： | 55 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 24.257 mm |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 512 words |
| 字数代码： | 512 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 75 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512X8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | OTP ROMs | 最大压摆率： | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AM27S29PCB | AMD |
功能相似  |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| TBP28S42N | TI |
功能相似 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM27S29DCB | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29DCB | ROCHESTER |
获取价格 |
OTP ROM, 512X8, 55ns, Bipolar, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 |
|
| AM27S29DM | ROCHESTER |
获取价格 |
Memory Circuit, 512X8, CMOS |
|
| AM27S29DMB | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
|
| AM27S29JC | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29JCB | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29LC | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29LCB | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
|
| AM27S29LM | ROCHESTER |
获取价格 |
Memory Circuit, 512X8, CMOS |
|
| AM27S29LMB | ROCHESTER |
获取价格 |
Memory Circuit, 512X8, Bipolar, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
|
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