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AM27C1024-55DC5B

更新时间： 2024-11-12 22:56:31
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 166K
描述
1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM

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AM27C1024-55DC5B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP40,.6
针数：40Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-CDIP-T40JESD-609代码：e0
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：UVPROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：40字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP40,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.0001 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

AM27C1024-55DC5B 数据手册

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FINAL  
Am27C1024  
1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Fast access time  
■ ±10% power supply tolerance standard  
■ 100% Flashrite™ programming  
— Speed options as fast as 55 ns  
■ Low power consumption  
— 20 µA typical CMOS standby current  
■ JEDEC-approved pinout  
— 40-Pin DIP/PDIP  
— Typical programming time of 8 seconds  
■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to  
VCC + 1 V  
■ High noise immunity  
■ Versatile features for simple interfacing  
— Both CMOS and TTL input/output compatibility  
— Two line control functions  
— 44-Pin PLCC  
■ Single +5 V power supply  
GENERAL DESCRIPTION  
The Am27C1024 is a 1 Megabit, ultraviolet erasable  
programmable read-only memory. It is organized as 64  
Kwords by 16 bits per word, operates from a single  
+5 V supply, has a static standby mode, and features  
fast single address location programming. Products are  
available in windowed ceramic DIP packages, as well  
as plastic one time programmable (OTP) PDIP and  
PLCC packages.  
thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-  
processor system.  
AMD’s CMOS process technology provides high  
speed, low power, and high noise immunity. Typical  
power consumption is only 125 mW in active mode,  
and 100 µW in standby mode.  
All signals are TTL levels, including programming sig-  
nals. Bit locations may be programmed singly, in  
blocks, or at random. The device supports AMD’s  
Flashrite programming algorithm (100 µs pulses), re-  
sulting in a typical programming time of 8 seconds.  
Data can be typically accessed in less than 55 ns, al-  
lowing high-performance microprocessors to operate  
without any WAIT states. The device offers separate  
Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,  
BLOCK DIAGRAM  
V
Data Outputs  
DQ0–DQ15  
CC  
V
V
SS  
PP  
Output Enable  
Chip Enable  
and  
OE#  
CE#  
Output  
Buffers  
Prog Logic  
PGM#  
Y
Y
Gating  
Decoder  
A0–A15  
Address  
Inputs  
1,048,576  
Bit Cell  
Matrix  
X
Decoder  
06780J-1  
Publication# 06780 Rev: J Amendment/0  
Issue Date: May 1998  
1234567...12

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与AM27C1024-55DC5B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM27C1024-55DCB SPANSION

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 		UVPROM, 64KX16, 55ns, CMOS, CDIP40, CERAMIC, DIP-40
AM27C1024-55DE5 AMD

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 		1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM
AM27C1024-55DE5B AMD

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 		1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM
AM27C1024-55DI SPANSION

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 		UVPROM, 64KX16, 55ns, CMOS, CDIP40, CERAMIC, DIP-40
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 		OTP ROM, 64KX16, 55ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

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