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AM27C1024-55PI5

更新时间： 2024-11-13 20:32:27

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	177K
描述
OTP ROM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40

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AM27C1024-55PI5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.77
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T40
长度：	52.324 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	40
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.715 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

AM27C1024-55PI5 数据手册

FINAL

Am27C1024

1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Fast access time

■ ±10% power supply tolerance standard

■ 100% Flashrite™ programming

— Speed options as fast as 55 ns

■ Low power consumption

— 20 µA typical CMOS standby current

■ JEDEC-approved pinout

— 40-Pin DIP/PDIP

— Typical programming time of 8 seconds

■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to

V_CC+ 1 V

■ High noise immunity

■ Versatile features for simple interfacing

— Both CMOS and TTL input/output compatibility

— Two line control functions

— 44-Pin PLCC

■ Single +5 V power supply

GENERAL DESCRIPTION

The Am27C1024 is a 1 Megabit, ultraviolet erasable

programmable read-only memory. It is organized as 64

Kwords by 16 bits per word, operates from a single

+5 V supply, has a static standby mode, and features

fast single address location programming. Products are

available in windowed ceramic DIP packages, as well

as plastic one time programmable (OTP) PDIP and

PLCC packages.

thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-

processor system.

AMD’s CMOS process technology provides high

speed, low power, and high noise immunity. Typical

power consumption is only 125 mW in active mode,

and 100 µW in standby mode.

All signals are TTL levels, including programming sig-

nals. Bit locations may be programmed singly, in

blocks, or at random. The device supports AMD’s

Flashrite programming algorithm (100 µs pulses), re-

sulting in a typical programming time of 8 seconds.

Data can be typically accessed in less than 55 ns, al-

lowing high-performance microprocessors to operate

without any WAIT states. The device offers separate

Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,

BLOCK DIAGRAM

Data Outputs

DQ0–DQ15

Output Enable

Chip Enable

and

OE#

CE#

Output

Buffers

Prog Logic

PGM#

Gating

Decoder

A0–A15

Address

Inputs

1,048,576

Bit Cell

Matrix

Decoder

06780J-1

Publication# 06780 Rev: J Amendment/0

Issue Date: May 1998

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AM27C1024-70DC	SPANSION	获取价格	UVPROM, 64KX16, 70ns, CMOS, CDIP40, CERAMIC, DIP-40
AM27C1024-70DC5	AMD	获取价格	1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM
AM27C1024-70DC5B	AMD	获取价格	1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM
AM27C1024-70DCB	SPANSION	获取价格	UVPROM, 64KX16, 70ns, CMOS, CDIP40, CERAMIC, DIP-40
AM27C1024-70DE5	AMD	获取价格	1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM
AM27C1024-70DE5B	AMD	获取价格	1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM
AM27C1024-70DI	SPANSION	获取价格	UVPROM, 64KX16, 70ns, CMOS, CDIP40, CERAMIC, DIP-40
AM27C1024-70DI5	AMD	获取价格	1 Megabit (65 K x 16-Bit) CMOS EPROM
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