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AGR09045EF

更新时间: 2024-02-12 13:00:11
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页数 文件大小 规格书
8页 325K
描述
45 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

AGR09045EF 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.16其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V最大漏极电流 (ID):4.25 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

AGR09045EF 数据手册

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AGR09045E  
45 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET  
Typical Performance Characteristics (continued)  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
895 MHz  
865 MHz  
880 MHz  
10  
VDD = 28 Vdc, IDQ = 0.45 A, TC = 30 °C  
WAVEFORM = CW  
8
6
4
2
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
POUT (W)S  
Figure 6. Power Gain vs. Power Out  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
120  
110  
100  
90  
VDD = 28 V, IDQ = 0.45 A, TC = 30 °C  
WAVEFORM = CW  
POUT  
895 MHz  
865 MHz  
880 MHz  
80  
EFFICIENCY  
895 MHz  
880 MHz  
70  
865 MHz 60  
50  
40  
30  
20  
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7  
PIN (W)  
S
Figure 7. Power Out and Drain Efficiency vs. Input Power  
6

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