生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | STATIC COLUMN | 最长访问时间: | 85 ns |
JESD-30 代码: | R-XSMA-T30 | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | DRAM MODULE | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 30 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
组织: | 1MX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | MIXMOS |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AEPDH1M9L-85N | ETC | x(8+1) Nibble Mode DRAM Module |
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AEPDH1M9L-85P | ETC | x9 Page Mode DRAM Module |
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AEPDH256K8L-10 | ETC | x8 DRAM Module, Undefined Architecture |
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AEPDH256K8L-12 | ETC | x8 DRAM Module, Undefined Architecture |
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AEPDH4M8LB-10 | ETC | x8 DRAM Module, Undefined Architecture |
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AEPDH4M8LB-10N | ETC | x8 Nibble Mode DRAM Module |
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