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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , SIP28H(UNSPEC) | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | STATIC COLUMN | 最长访问时间： | 80 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XSMA-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | DRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | SIP28H(UNSPEC) |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 2048 |
| 子类别： | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MIXMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AEPDH4M8LB-80N | ETC |
获取价格 |
x8 Nibble Mode DRAM Module |
|
| AEPDH4M8LB-80P | ETC |
获取价格 |
x8 Page Mode DRAM Module |
|
| AEPDH4M8LB-80S | ETC |
获取价格 |
x8 Static Column Mode DRAM Module |
|
| AEPDH4M9L-10 | ETC |
获取价格 |
x9 DRAM Module， Undefined Architecture |
|
| AEPDH4M9L-10N | ETC |
获取价格 |
x(8+1) Nibble Mode DRAM Module |
|
| AEPDH4M9L-10P | ETC |
获取价格 |
x9 Page Mode DRAM Module |
|
| AEPDH4M9L-12 | ETC |
获取价格 |
x9 DRAM Module， Undefined Architecture |
|
| AEPDH4M9L-12N | ETC |
获取价格 |
x(8+1) Nibble Mode DRAM Module |
|
| AEPDH4M9L-12P | ETC |
获取价格 |
x9 Page Mode DRAM Module |
|
| AEPDH4M9L-80 | ETC |
获取价格 |
x9 DRAM Module， Undefined Architecture |
|
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