5秒后页面跳转
AEPDH4M9L-12N PDF预览

AEPDH4M9L-12N

更新时间: 2024-02-28 00:21:55
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
2页 211K
描述
x(8+1) Nibble Mode DRAM Module

AEPDH4M9L-12N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-XSMA-T30内存密度:37748736 bit
内存集成电路类型:DRAM MODULE内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:4MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MIXMOS
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

AEPDH4M9L-12N 数据手册

 浏览型号AEPDH4M9L-12N的Datasheet PDF文件第2页 

与AEPDH4M9L-12N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AEPDH4M9L-12P ETC

获取价格

x9 Page Mode DRAM Module
AEPDH4M9L-80 ETC

获取价格

x9 DRAM Module, Undefined Architecture
AEPDH4M9L-80N ETC

获取价格

x(8+1) Nibble Mode DRAM Module
AEPDH4M9L-80P ETC

获取价格

x9 Page Mode DRAM Module
AEPDS1M8LB-10 ETC

获取价格

x8 DRAM Module, Undefined Architecture
AEPDS1M8LB-10N ETC

获取价格

x8 Nibble Mode DRAM Module
AEPDS1M8LB-10P ETC

获取价格

x8 Page Mode DRAM Module
AEPDS1M8LB-10S ETC

获取价格

x8 Static Column Mode DRAM Module
AEPDS1M8LB-12 ETC

获取价格

x8 DRAM Module, Undefined Architecture
AEPDS1M8LB-12N ETC

获取价格

x8 Nibble Mode DRAM Module