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AEPDS1M9L-85N

更新时间: 2024-01-27 01:31:54
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
2页 214K
描述
x(8+1) Nibble Mode DRAM Module

AEPDS1M9L-85N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:85 ns
JESD-30 代码:R-XSMA-T30内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:DRAM MODULE内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:1MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MIXMOS
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

AEPDS1M9L-85N 数据手册

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