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AEPDS4M9L-80

更新时间: 2024-01-26 04:20:10
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其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
2页 211K
描述
x9 DRAM Module, Undefined Architecture

AEPDS4M9L-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:, SIP30,.2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:STATIC COLUMN
最长访问时间:80 ns其他特性:PARITY CHECKER
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-T30
JESD-609代码:e0内存密度:37748736 bit
内存集成电路类型:DRAM MODULE内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装等效代码:SIP30,.2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MIXMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

AEPDS4M9L-80 数据手册

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