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AEPDS4M9L-12

更新时间: 2024-02-06 06:16:37
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其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
2页 211K
描述
x9 DRAM Module, Undefined Architecture

AEPDS4M9L-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-XSMA-T30内存密度:37748736 bit
内存集成电路类型:DRAM MODULE内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:4MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MIXMOS
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

AEPDS4M9L-12 数据手册

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