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AEPDH4M8LB-10P

更新时间: 2024-01-03 20:40:03
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
2页 196K
描述
x8 Page Mode DRAM Module

AEPDH4M8LB-10P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:, SIP28H(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:STATIC COLUMN
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-T28JESD-609代码:e0
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:DRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:SIP28H(UNSPEC)封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MIXMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

AEPDH4M8LB-10P 数据手册

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