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AD-BC858-B

更新时间： 2024-11-03 14:53:03

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
6页	648K
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SOT-23

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AD-BC858-B 数据手册

www.jscj-elec.com

AD-BC856/57/58 series

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.

AD-BC856/57/58 Series Plastic-Encapsulated Transistor

AD-BC856/57/58 series Transistor (PNP)

FEATURES

⚫

Ideally suited for automatic insertion

For switching and AF amplifier applications

AEC-Q101 qualified

MARKING

AD-BC856-A =3A; AD-BC856-B =3B

AD-BC857-A =3E; AD-BC857-B =3F; AD-BC857-C =3G

AD-BC858-A =3J; AD-BC858-B =3K; AD-BC858-C =3L

The -A/B/C indicate the different h_FE.

MAXIMUM RATINGS (T_j= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

-80

Unit

AD-BC856*

AD-BC857*

AD-BC858*

AD-BC856*

AD-BC857*

AD-BC858*

AD-BC846*

AD-BC847*

AD-BC848*

Collector-base voltage

V_CBO

-50

-30

-65

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

V_CEO

-45

-30

-5

V_EBO

-5

Collector continuous current

Collector power dissipation

I_C

P_C

-0.1

200

625

-55 ~ 150

°C/W

°C

Thermal resistance from junction to ambient

R_θJA

T_j, T_stg

Operating junction and storage temperature range

Version 1.0

1 / 6

2021-07-01

12 3 4 5 6

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