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AD-BC868-25

更新时间： 2023-12-06 20:10:58

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
5页	587K
描述
SOT-89-3L

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AD-BC868-25 数据手册

www.jscj-elec.com

AD-BC868* series

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.

AD-BC868* series Plastic-Encapsulated Transistor

AD-BC868* series Transistor (NPN)

FEATURES



High current

Low collector-emitter saturation voltage

AEC-Q101 qualified

MAXIMUM RATINGS (T_j= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector continuous current

Collector power dissipation

P_C

500

°C/W

°C

Thermal resistance from junction to ambient

Operating junction and storage temperature range

R_θJA

250

T_j, T_stg

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_j= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Test condition

I_C= 100µA, I_E= 0A

I_C= 1mA, I_B= 0A

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

I_E= 100µA, I_C= 0A

V_CB= 25V, I_E= 0A

V_EB= 5V, I_C= 0A

0.1

375

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE(1)

h_FE(2)

h_FE(3)

V_CE(sat)

V_BE1

V_CE= 1V, I_C= 500mA

V_CE= 1V, I_C= 1A

DC current gain

V_CE= 10V, I_C= 5mA

I_C= 1A, I_B= 100mA

V_CE= 10V, I_C= 5mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.5

0.62

Version 1.0

1 / 5

2021-07-01

12 3 4 5

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