AA1L3M

更新时间： 2024-10-16 21:55:03

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	85K
描述
COMPOUND TRANSISTOR

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AA1L3M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	5000 ns	最大开启时间（吨）：	500 ns
Base Number Matches：	1

AA1L3M 数据手册

DATA SHEET

COMPOUND TRANSISTOR

AA1L3M

on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

For mid-speed switching

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

•

On-chip bias resistor

(R¹= 4.7 kΩ, R²= 4.7 kΩ)

•

Complementary transistor with AN1L3M

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

P^T

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

°C

200

250

T^j

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= 50 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

−

h^FE1**

h^FE2**

V^CE(sat)**

V^IL**

V^IH**

R¹

V^CE= 5.0 V, I^C= 5.0 mA

V^CE= 5.0 V, I^C= 50 mA

I^C= 5.0 mA, I^B= 0.25 mA

V^CE= 5.0 V, I^C= 100 µA

V^CE= 0.2 V, I^C= 5.0 mA

140

0.08

1.1

1.5

4.7

1.0

−

DC current gain

Collector saturation voltage

Low level input voltage

High level input voltage

Input resistance

0.3

0.8

3.0

3.28

0.9

kΩ

−

6.11

1.1

0.5

3.0

5.0

Resistance ratio

R¹/R²

t^on

V^CC= 5 V, R^L= 1 kΩ

V^I= 5 V, PW = 2 µs

duty cycle≤2 %

µs

Turn-on time

Storage time

t^stg

Turn-off time

t^off

** Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16162EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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与AA1L3M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AA1L3M-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1L3N	NEC	获取价格	On-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching
AA1L3N-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1L3Z	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
AA1L3Z-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43B, 3 PIN
AA1L4L	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
AA1L4L-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1L4M	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
AA1L4M-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1L4Z	NEC	获取价格	COMPOUND TRANSISTOR

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