AA1L4Z

更新时间： 2024-10-16 21:55:03

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	83K
描述
COMPOUND TRANSISTOR

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AA1L4Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	6000 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns
Base Number Matches：	1

AA1L4Z 数据手册

DATA SHEET

COMPOUND TRANSISTOR

AA1L4Z

on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

For mid-speed switching

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

•

On-chip bias resistor

(R¹= 47 kΩ)

•

Complementary transistor with AN1L4Z

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

P^T

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

°C

200

250

T^j

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= 50 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

−

h^FE1**

h^FE2**

V^CE(sat)**

V^IL**

V^IH**

R¹

V^CE= 5.0 V, I^C= 5.0 mA

V^CE= 5.0 V, I^C= 50 mA

I^C= 5.0 mA, I^B= 0.25 mA

V^CE= 5.0 V, I^C= 100 µA

V^CE= 0.2 V, I^C= 5.0 mA

135

100

270

260

0.05

0.57

1.7

600

−

DC current gain

Collector saturation voltage

Low level input voltage

High level input voltage

Input resistance

0.2

0.5

4.0

kΩ

µs

32.9

61.1

0.2

5.0

6.0

V^CC= 5.0 V, R^L= 1.0 kΩ

V^I= 5.0 V, PW = 2.0 µs

duty cycle≤2 %

Turn-on time

t^on

Storage time

t^stg

Turn-off time

t^off

** Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

h^FECLASSIFICATION

Marking

h^FE1

135 to 270

200 to 400

300 to 600

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16164EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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与AA1L4Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AA1L4Z-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1L4Z-A	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43B, 3 PIN
AA1L4Z-K	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1L4Z-K	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43B, 3 PIN
AA1L4ZK(C)	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92
AA1L4ZK(C)-T	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92
AA1L4ZK-T	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92
AA1L4Z-P	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43B, 3 PIN
AA1L4Z-P	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1L4ZP(C)	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92

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