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A623308M-70S

更新时间: 2024-11-04 22:26:47
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 132K
描述
8K X 8 BIT CMOS SRAM

A623308M-70S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:18.11 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.85 mm最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:8.41 mmBase Number Matches:1

A623308M-70S 数据手册

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A623308 Series  
Preliminary  
8K X 8 BIT CMOS SRAM  
Document Title  
8K X 8 BIT CMOS SRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
0.3  
Initial issue  
July 2, 1999  
Preliminary  
Erase 55ns part  
December 14, 2000  
December 11, 2002  
December 23, 2002  
Add –SI/SU part no. and change ICC1, Isb1  
Erase 28-pin TSOP reverse type package  
PRELIMINARY  
(December, 2002, Version 0.3)  
AMIC Technology, Corp.  

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