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A623308M-70SI

更新时间: 2024-11-04 22:26:47
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 132K
描述
8K X 8 BIT CMOS SRAM

A623308M-70SI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18.11 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.85 mm
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:8.41 mm
Base Number Matches:1

A623308M-70SI 数据手册

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A623308 Series  
Preliminary  
8K X 8 BIT CMOS SRAM  
Document Title  
8K X 8 BIT CMOS SRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
0.3  
Initial issue  
July 2, 1999  
Preliminary  
Erase 55ns part  
December 14, 2000  
December 11, 2002  
December 23, 2002  
Add –SI/SU part no. and change ICC1, Isb1  
Erase 28-pin TSOP reverse type package  
PRELIMINARY  
(December, 2002, Version 0.3)  
AMIC Technology, Corp.  

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