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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 450 V | 配置： | 2 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PUFM-X6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MG100G2JL1 | TOSHIBA | TECHNICAL DATA |
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| MG100G2YK1 | ETC | TRANSISTOR MODULES |
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| MG100G2YL1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-96A1A, 9 PIN, BIP General |
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| MG100G2YS1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100H1BS1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, 2-33C1A, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG100H2CK1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 A, 550 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-80B1A, 5 PIN, BIP General |
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