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2SC5632G

更新时间： 2024-01-04 21:13:08

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松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	205K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 8V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, 3 PIN

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2SC5632G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	8 V	最小直流电流增益 (hFE)：	0.6
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1100 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5632G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SC5632

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-frequency amplification and switching

Unit: mm

+0.10

+0.1

–0.0

0.15

0.3

–0.05

■ Features

• High transition frequency f_T

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

10˚

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

Collector current

I_C

P_C

T_j

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

Marking Symbol: 2R

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

I_EBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

h_FEratio ^*

I_C= 100 µA, I_E= 0

V_EB= 2 V, I_C= 0

µA



h_FE

V_CE= 4 V, I_C= 2 mA

100

0.6

350

1.5

∆h_FE

h_FE2: V_CE= 4 V, I_C= 100 µA

h_FE1: V_CE= 4 V, I_C= 2 mA



Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 20 mA, I_B= 4 mA

0.1

1.6

GHz

f_T

V_CE= 5 V, I_C= 15 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

0.6

1.1

1.0

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : ∆h_FE= h_FE2/ h_FE1

Publication date: February 2003

SJC00186BED

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