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2SC5645

更新时间： 2024-01-27 07:32:03
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 振荡器晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 36K
描述
UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications

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2SC5645 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.03 A基于收集器的最大容量：0.7 pF
集电极-发射极最大电压：4 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：12500 MHzBase Number Matches：1

2SC5645 数据手册

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Ordering number : ENN6588  
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SC5645  
UHF to S Band Low-Noise Amplifier  
and OSC Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
Low noise : NF=1.5dB typ (f=2GHz).  
• High cutoff frequency : f =10GHz typ (V =1V). 2106A  
CE  
T
: f =12.5GHz typ (V =3V).  
T
CE  
[2SC5645]  
• Low-voltage operating .  
• High gain : S21e 2=9.5dB typ (f=2GHz).  
0.75  
0.6  
0.3  
3
0 to 0.1  
1
2
0.2  
0.1  
0.5 0.5  
1.6  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
SANYO : SMCP  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
9
4
V
2
30  
V
I
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector Dissipation  
P
100  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
1.0  
10  
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
=5V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=1V, I =0  
C
EBO  
h
=1V, I =5mA  
100  
160  
FE  
f 1  
C
=1V, I =5mA  
8
10  
12.5  
0.55  
0.4  
GHz  
GHz  
pF  
T
C
Gain-Bandwidth Product  
f 2  
T
=3V, I =15mA  
C
Output Capacitance  
Cob  
=1V, f=1MHz  
=1V, f=1MHz  
0.7  
2.3  
Reverse Transfer Capacitance  
Cre  
pF  
S21e 2 1  
S21e 2 2  
NF  
=1V, I =5mA, f=2GHz  
C
8
9.5  
dB  
Forward Transfer Gain  
=3V, I =15mA, f=2GHz  
C
10.5  
1.5  
dB  
Noise Figure  
=1V, I =3mA, f=2GHz  
dB  
C
Marking : NF  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
90100 TS IM TA-3001 No.6588-1/6  
123456

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