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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 | 针数： | 18 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.57 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CQCC-N15 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 15 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/564F | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6849_09 | MICROSEMI | P-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6849E | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849EA | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849EB | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849EBPBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849EC | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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