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2N6756

更新时间： 2024-01-17 12:54:33
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 147K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,

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2N6756 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.09其他特性：RADIATION HARDENED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N6756 数据手册

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PD - 90333F  
IRF130  
JANTX2N6756  
JANTXV2N6756  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
[REF:MIL-PRF-19500/542]  
100V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number BVDSS RDS(on)  
IRF130 100V 0.18Ω  
ID  
14A  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
TO-3  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of paralleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
=0V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
14  
9.0  
D
GS  
C
A
I
D
= 0V, T = 100°C  
C
GS  
I
56  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
0.60  
±20  
75  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
I
14  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
5.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5(typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/22/01  
1234567

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