生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W8 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.82 |
最大集电极电流 (IC): | 0.05 A | 基于收集器的最大容量: | 8 pF |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小直流电流增益 (hFE): | 125 | JEDEC-95代码: | TO-78 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W8 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 0.3 W |
最大功率耗散 (Abs): | 1.2 W | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 60 MHz | VCEsat-Max: | 1 V |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N2903LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78 |
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2N2904 | RAYTHEON | Silicon PNP Transistor |
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2N2904 | SEME-LAB | GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR |
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2N2904 | INFINEON | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
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2N2904 | SEMICOA | Chip Type 2C2904A Geometry 0600 Polarity PNP |
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2N2904 | MICROSEMI | PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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