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2N2904 PDF预览

2N2904

更新时间： 2024-01-17 23:03:59
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR

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2N2904 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.6Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

2N2904 数据手册

 浏览型号2N2904的Datasheet PDF文件第2页 
2N2904  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
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GENERAL PURPOSE PNP  
TRANSISTOR  
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FEATURES  
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i
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d
i
a
.
• SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP  
TRANSISTOR  
5
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8
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0
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2
0
0
)
t
y
p
.
• CECC SCREENING OPTIONS  
• LOW NOISE AMPLIFIER  
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2
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1
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.
0
0
2
3
8
4
)
)
4
5
°
APPLICATIONS:  
• GENERAL PURPOSE  
TO–39 METAL PACKAGE  
Underside View  
• HIGH SPEED SATURATED SWITCHING  
PIN 1 – Emitter  
PIN 2 – Base  
PIN 3 – Collector  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
V
V
Collector – Emitter Voltage  
Collector – Base Voltage  
Emmiter – Base Voltage  
40V  
60V  
CEO  
CBO  
EBO  
5V  
I
Collector Current – Continuous  
600mA  
C
P
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
600mW  
3.43mW/ °C  
3W  
D
D
A
Derate above 25°C  
P
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
C
Derate above 25°C  
17.2mW / °C  
–65 to +200°C  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
J
STG  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk  
Prelim. 11/98  
Website http://www.semelab.co.uk  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N2904/TR MICROSEMI Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A

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