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97SD3240RPMK

更新时间： 2024-02-13 01:35:30

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麦斯威 - MAXWELL		动态存储器
页数	文件大小	规格书
39页	741K
描述
Synchronous DRAM, 32MX40, 6ns, CMOS, STACK, QFP-132

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97SD3240RPMK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	GQFF, QFL132,1.35SQ,25
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133.33 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-XQFP-F132
长度：	34.29 mm	内存密度：	1342177280 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	40
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	132	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32MX40	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	GQFF	封装等效代码：	QFL132,1.35SQ,25
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, GUARD RING
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
反向引出线：	NO	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8	最大待机电流：	0.15 A
最小待机电流：	3 V	最大压摆率：	0.575 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	总剂量：	100k Rad(Si) V
宽度：	34.29 mm	Base Number Matches：	1

97SD3240RPMK 数据手册

97SD3240

1.25Gb (8-Meg X 40-Bit X 4-Banks) SDRAM

‘

TABLE 1. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

MAX

UNIT

Voltage on any pin relative to V

-0.5 to VCC + 0.5

(< 4.6(max))

OUT

Supply voltage relative to V

-0.5 to +4.6

°C

Short circuit output current

Operating Temperature

Storage Temperature

I_OUT

T_OPR

T_STG

-55 to +125

-65 to +150

TABLE 2. RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

(V_CC= 3.3V + 0.3V, V Q = 3.3V + 0.3V, T = -55 TO 125°C, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)

PARAMETER

Supply Voltage

SYMBOL

MIN

3.0

2.0

-0.3

MAX

3.6

UNIT

1,2

V , V

CCQ

V , V

SSQ

1,4

Input High Voltage

Input Low Voltage

V + 0.3

1,5

0.8

1. All voltage referred to VSS

2. The supply voltage with all V and V_CCQpins must be on the same level

3. The supply voltage with all V_SSand V_SSQpins must be on the same level

4. V (max) = V +2.0V for pulse width <3ns at V

5. V (min) = V -2.0V for pulse width <3ns at V

TABLE 3. DELTA LIMITS

PARAMETER

DESCRIPTION

VARIATION

I_CC1

Operating Current

Power Down Standby Current

Active Standby Current

±10%

_CC2PI_{CC2PS CC2N CC2NS}

I_{CC3P CC3PS CC3N CC3NS}

1. ±10% of value specified in Table 4

TABLE 4. DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(V_CC= 3.3V + 0.3V, V Q = 3.3V + 0.3V, T = -55 TO 125°C, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)

P^ARAMETER

Operating Current^1,2,3

SYMBOL

TEST CONDITIONS

SUBGROUPS

MIN

MAX

UNITS

I_CC1Burst length CAS Latency = 2 1, 2, 3

575

= 1

CAS Latency = 3

_RC= min

Standby Current in Power Down⁴

I_CC2P

CKE = V

t_CK= 12 ns

1, 2, 3

Standby Current in Power Down

( input signal stable)⁵

I_CC2PS

CKE = V

t_CK= 0

02.04.05 Rev 3

All data sheets are subject to change without notice

1 234 5 6 7...39

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