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934056193135

更新时间： 2024-11-06 21:12:23

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恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	298K
描述
5.5A, 55V, 0.161ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 4 PIN

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934056193135 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	22 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	0.161 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

934056193135 数据手册

BUK98150-55A

N-channel TrenchMOS logic level FET

19 March 2014

Product data sheet

1. General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

2. Features and benefits

Low conduction losses due to low on-state resistance

Q101 compliant

Suitable for logic level gate drive sources

•

3. Applications

12 V and 24 V loads

Automotive and general purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

V_GS= 5 V; T_sp= 25 °C; Fig. 2; Fig. 3

5.5

P_tot

total power dissipation T_sp= 25 °C; Fig. 1

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C

V_GS= 10 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C

161

137

150

mΩ

116

128

V_GS= 5 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C; Fig. 12;

Fig. 13

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 5 A; V_DS= 44 V;

T_j= 25 °C; Fig. 14

2.8

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive drain-

I_D= 5.5 A; V_sup≤ 55 V; R_GS= 50 Ω;

V_GS= 5 V; T_j(init)= 25 °C; unclamped

source avalanche

energy

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