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8550SS-D-BP

更新时间： 2024-02-01 08:41:06
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 685K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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8550SS-D-BP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.6
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

8550SS-D-BP 数据手册

 浏览型号8550SS-D-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号8550SS-D-BP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号8550SS-D-BP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
8550SS-C  
8550SS-D  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 1.5A  
PNP Silicon  
Transistors  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking : 8550SS  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
TO-92  
·
·
A
E
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
C
(I =100uAdc, IC=0)  
E
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
85  
40  
---  
---  
300  
---  
---  
---  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DC Current Gain  
E
E
C
B
C
(I =800mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
B
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
0.5  
1.2  
Vdc  
Vdc  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
C
B
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
C
B
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Transistor Frequency  
100  
---  
MHz  
(I =50mAdc, VCE=10Vdc, f=30MHz)  
C
E
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Straight Lead  
Bent Lead  
G
Rank  
C
D
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
Range  
120-200  
160-300  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: D  
2013/10/07  
1234

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与8550SS-D-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
8550SS-D-BP-HF MCC

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 		暂无描述
8550SST SECOS

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 		PNP Plastic Encapsulated Transistor
8550S-TO-92 CJ

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 		TRANSISTOR（ PNP ）
8550S-X-AE3-R UTC

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8550SXLT1 WILLAS

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8550S-X-T92-B UTC

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8550S-X-T92-K UTC

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