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8550S-TO-92

更新时间： 2024-02-17 17:35:02

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	350K
描述
TRANSISTOR（ PNP ）

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8550S-TO-92 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

8550S TRANSISTOR（ PNP

）

TO— 92

FEATURE

Power dissipation

P_CM: 0.625 W（Tamb=25℃）

Collector current

I_CM: -0.5

1.EMITTER

2. COLLECTOR

3.BASE

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -40

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

-40

-25

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100μA , I_E=0

Ic= -0.1 mA， I_B=0

I_E= -100μA， I_C=0

V_CB= -40 V , I_E=0

-0.1

300

μA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE= -20 V , I_B=0

V_EB= - 3 V， I_C=0

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE（1）

V_CE= -1 V, I_C= -50mA

V_CE= -1 V, IC= -500mA

I_C=-500mA, I_B=-50 mA

DC current gain

h_FE（2）

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.6

-1.2

V_CE=- 6 V, I =-20mA

Transition frequency

f_T

150

MHz

f =30MHz

CLASSIFICATION OF hFE

(1)

Rank

Range

85-160

120-200

160-300

12 3

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