是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 120 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-XDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 18 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 4KX1 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP18,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.0004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.0045 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
8102409VA | ETC | x1 SRAM |
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810251AGILF | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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810251AGILFT | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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810251I | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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810252AGILF | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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810252AGILFT | IDT | VCXO and Synchronous Ethernet Jit ter At tenuator |
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