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7MBR50SB120-50

更新时间： 2024-01-25 17:40:23
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 815K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-24

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7MBR50SB120-50 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-24
针数：24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X24元件数量：7
端子数量：24封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：530 ns标称接通时间 (ton)：600 ns
Base Number Matches：1

7MBR50SB120-50 数据手册

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℃
4. Electrical characteristics ( at Tj= 25 unless otherwise specified)  
Characteristics  
min. typ. Max.  
Items  
Zero gate voltage  
Collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter  
Symbols  
Conditions  
0 V, V = 1200 V  
Units  
mA  
nA  
V
I
V
V
V
V
=
=
=
=
-
-
-
-
1.0  
200  
8.5  
CES  
GE  
CE  
CE  
GE  
CE  
I
0 V, V = ±20 V  
GE  
GES  
V
GE(th)  
20 V, Ic =  
50 mA 5.5  
7.2  
threshold voltage  
Collector-Emitter  
15 V, chip  
-
-
2.1  
2.3  
-
V
V
CE(sat)  
Cies  
saturation voltage  
Input capacitance  
Ic =  
50 A terminal  
2.7  
V
GE  
=
0 V, V =  
CE  
10 V  
-
6000  
-
pF  
f =  
1 MHz  
ton  
tr  
Vcc=  
Ic =  
600 V  
-
-
-
-
-
-
-
-
0.35  
0.25  
0.1  
1.2  
0.6  
-
Turn-on time  
50 A  
±15 V  
24 Ω  
tr(i)  
toff  
tf  
V
GE  
=
μs  
RG  
=
0.45  
0.08  
2.3  
1.0  
0.3  
-
Turn-off time  
Forward on voltage  
V
F
I =  
F
50 A chip  
terminal  
V
2.5  
3.3  
350  
Reverse recovery time  
trr  
IF =  
50 A  
-
ns  
Zero gate voltage  
Collector current  
I
V
GE  
=
0 V, V = 1200 V  
-
-
1.0  
mA  
CES  
CE  
0 V,  
±20 V  
=
-
-
-
200  
-
nA  
V
Gate-Emitter leakage current  
Collector-Emitter  
I
V
V
=
=
V
GES  
CE  
GE  
15 V, chip  
2.1  
GE  
V
CE(sat)  
saturation voltage  
Turn-on time  
Ic =  
25 A terminal  
600 V  
-
2.25  
0.35  
0.25  
0.45  
0.08  
-
2.7  
1.2  
0.6  
1.0  
0.3  
1.0  
-
ton  
tr  
Vcc=  
Ic =  
-
25 A  
-
μs  
toff  
tf  
V
GE  
=
±15 V  
-
Turn-off time  
RG  
=
51 Ω  
-
Reverse current  
I
RRM  
VR  
=
1200 V  
50 A chip  
terminal  
1600 V  
-
mA  
V
Forward on voltage  
V
FM  
I =  
F
-
1.1  
-
1.2  
1.5  
1.0  
-
Reverse current  
Resistance  
I
V
R
=
-
-
-
mA  
RRM  
T = 25℃  
T =100℃  
5000  
495  
R
Ω
465  
520  
B value  
B
T = 25/50℃  
3305 3375 3450  
K
5. Thermal resistance characteristics  
Items  
Characteristics  
Symbols  
Conditions  
Units  
typ. Max.  
min.  
Inverter IGBT  
-
-
-
-
-
-
0.35  
0.75  
0.69  
0.50  
-
Thermal resistance  
(1 device)  
Inverter FWD  
-
R
th(j-c)  
℃/Ｗ  
Brake IGBT  
-
-
Converter Diode  
with Thermal Compound (  
※
)
Contact Thermal resistance  
R
th(c-f)  
0.05  
℃/Ｗ  
※
This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
a
5
MS6M0872  
16  
12345678...16

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