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7MBR50SB120-50

更新时间： 2024-01-07 03:11:16
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 815K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-24

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7MBR50SB120-50 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-24
针数：24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X24元件数量：7
端子数量：24封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：530 ns标称接通时间 (ton)：600 ns
Base Number Matches：1

7MBR50SB120-50 数据手册

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Warnings  
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If excessive static electricity is applied to the control terminals, the devices may be broken. Implement some  
countermeasures against static electricity.  
制御端子に過大な静電気が印加された場合、素子が破壊する場合があります。取り扱い時は静電気対策を実施して下さい。  
Never add the excessive mechanical stress to the main or control terminals when the product is applied to  
equipments. The module structure may be broken.  
素子を装置に実装する際に、主端子や制御端子に過大な応力を与えないで下さい。端子構造が破壊する可能性があります。  
In case of insufficient -VGE, erroneous turn-on of IGBT may occur. -VGE shall be set enough value to prevent  
this malfunction. (Recommended value : -VGE = -15V)  
逆バイアスゲート電圧-VGEが不足しますと誤点弧を起こす可能性があります。誤点弧を起こさない為に-VGEは十分な値で  
設定して下さい。ꢀ（推奨値 : -VGE = -15V)  
In case of higher turn-on dv/dt of IGBT, erroneous turn-on of opposite arm IGBT may occur. Use this product in  
the most suitable drive conditions, such as +VGE, -VGE, RG to prevent the malfunction.  
ターンオン dv/dt が高いと対抗アームのＩＧＢＴが誤点弧を起こす可能性があります。誤点弧を起こさない為の最適なドライブ  
条件（+VGE, -VGE, RG等）でご使用下さい。  
-
Cautions  
-
Fuji Electric Device Technology is constantly making every endeavor to improve the product quality and reliability.  
However, semiconductor products may rarely happen to fail or malfunction. To prevent accidents causing injury or  
death, damage to property like by fire, and other social damage resulted from a failure or malfunction of  
the Fuji Electric Device Technology semiconductor products, take some measures to keep safety such as redundant  
design, spread-fire-preventive design, and malfunction-protective design.  
富士電機デバイステクノロジーは絶えず製品の品質と信頼性の向上に努めています。しかし、半導体製品は故障が発生したり、  
誤動作する場合があります。富士電機デバイステクノロジー製半導体製品の故障または誤動作が、結果として人身事故・火災  
等による財産に対する損害や社会的な損害を起こさないように冗長設計・延焼防止設計・誤動作防止設計など安全確保  
のための手段を講じて下さい。  
-
-
The application examples described in this specification only explain typical ones that used the Fuji Electric Device  
Technology products. This specification never ensure to enforce the industrial property and other rights, nor license the  
enforcement rights.  
本仕様書に記載してある応用例は、富士電機デバイステクノロジー製品を使用した代表的な応用例を説明するものであり、  
本仕様書によって工業所有権、その他権利の実施に対する保障または実施権の許諾を行うものではありません。  
The product described in this specification is not designed nor made for being applied to the equipment or  
systems used under life-threatening situations. When you consider applying the product of this specification  
to particular used, such as vehicle-mounted units, shipboard equipment, aerospace equipment, medical devices,  
atomic control systems and submarine relaying equipment or systems,ꢀplease apply after confirmation  
of this product to be satisfied about system construction and required reliability.  
本仕様書に記載された製品は、人命にかかわるような状況下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを  
目的として設計・製造されたものではありません。本仕様書の製品を車両機器、船舶、航空宇宙、医療機器、原子力  
制御、海底中継機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際は、システム構成及び要求品質に  
満足することをご確認の上、ご利用下さい。  
If there is any unclear matter in this specification, please contact Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.  
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