74LVC1G57GV

更新时间： 2024-01-15 14:48:27

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恩智浦 - NXP		逻辑集成电路光电二极管
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18页	96K
描述
Low-power configurable multiple function gate

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74LVC1G57GV 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-363
包装说明：	PLASTIC, SOT-363, SC-88, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	系列：	LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
长度：	2 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	LOGIC CIRCUIT	最大I（ol）：	0.024 A
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP6,.08
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	7.9 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	YES	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74LVC1G57GV 数据手册

74LVC1G57

Philips Semiconductors

Low-power conﬁgurable multiple function gate

001aab587

001aab586

Fig 6. 2-input NAND gate with input C

inverted or 2-input OR gate with

inverted A input.

Fig 7. 2-input NOR gate or 2-input AND

gate with both inputs inverted.

001aab588

001aab589

Fig 8. 2-input XNOR gate.

Fig 9. Inverter.

001aab590

Fig 10. Buffer.

9. Limiting values

Table 7:

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Voltages are referenced to

GND (ground = 0 V).

Symbol Parameter

Conditions

Min

−0.5 +6.5

−50

−0.5 +6.5

±50

Max

Unit

V_CC

I_IK

supply voltage

input diode current

input voltage

V_I< 0 V

[1]

V_I

I_OK

V_O

output diode current

output voltage

V_O> V_CCor V_O< 0 V

active mode

[1] [2]

−0.5 +6.5

Power-down mode

V_O= 0 V to V_CC

I_O

output source or sink

current

±50

9397 750 13722

Product data sheet

Rev. 01 — 6 September 2004

5 of 18

1 2 3 456 7 8...18

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