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74HCT30PW

更新时间： 2024-11-12 11:10:19

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	228K
描述
8-input NAND gateProduction

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技术参数
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74HCT30PW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	系列：	HCT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G14	长度：	5 mm
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	8
端子数量：	14	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
传播延迟（tpd）：	42 ns	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	4.4 mm
Base Number Matches：	1

74HCT30PW 数据手册

74HC30; 74HCT30

8-input NAND gate

Rev. 9 — 6 September 2021

Product data sheet

1. General description

The 74HC30; 74HCT30 is an 8-input NAND gate. Inputs include clamp diodes. This enables the

use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of V_CC

2. Features and benefits

•

Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V

•

CMOS low power dissipation

High noise immunity

Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II Level B

Complies with JEDEC standards:

•

JESD8C (2.7 V to 3.6 V)

JESD7A (2.0 V to 6.0 V)

•

Input levels:

•

For 74HC30: CMOS level

For 74HCT30: TTL level

ESD protection:

•

HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

Specified from -40 °C to +85 °C and from -40 °C to +125 °C

3. Ordering information

Table 1. Ordering information

Type number

Package

Temperature range

-40 °C to +125 °C

Name

Description

Version

74HC30D

SO14

plastic small outline package; 14 leads;

body width 3.9 mm

SOT108-1

74HCT30D

74HC30PW

74HCT30PW

-40 °C to +125 °C

TSSOP14 plastic thin shrink small outline package; 14 leads; SOT402-1

body width 4.4 mm

12 3 4 5 6 7...13

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