74AUP1T34

更新时间： 2024-02-01 01:38:13

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Low-power dual supply translating buffer

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74AUP1T34 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSSOT	包装说明：	TSSOP,
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.43
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
长度：	2.05 mm	逻辑集成电路类型：	BUFFER
功能数量：	2	输入次数：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	传播延迟（tpd）：	33.5 ns
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.1 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

74AUP1T34 数据手册

74AUP1T34

NXP Semiconductors

Low-power dual supply translating buffer

9. Recommended operating conditions

Table 6.

Symbol

V_CC(A)

V_CC(Y)

V_I

Recommended operating conditions

Parameter

Conditions

Min

1.1

Max

3.6

Unit

supply voltage port A

supply voltage port Y

input voltage

3.6

V_O

output voltage

V_CC(Y)

+125

200

T_amb

ambient temperature

−40

°C

ns/V

∆t/∆V

input transition rise and fall rate control and data inputs;

V_CC(A)= 1.1 V to 3.6 V

10. Static characteristics

Table 7.

Static characteristics

At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ Max

Unit

T_amb= 25 °C

V_IH

HIGH-level

input voltage

V_CC(A)= 1.1 V to 1.95 V; V_CC(Y)= 1.1 V to 3.6 V

V_CC(A)= 2.3 V to 2.7 V; V_CC(Y)= 1.1 V to 3.6 V

V_CC(A)= 3.0 V to 3.6 V; V_CC(Y)= 1.1 V to 3.6 V

V_CC(A)= 1.1 V to 1.95 V; V_CC(Y)= 1.1 V to 3.6 V

V_CC(A)= 2.3 V to 2.7 V; V_CC(Y)= 1.1 V to 3.6 V

V_CC(A)= 3.0 V to 3.6 V; V_CC(Y)= 1.1 V to 3.6 V

V_I= V_IH

0.65 × V_CC(A)

1.6

2.0

V_IL

LOW-level input

voltage

0.35 × V_CC(A)

0.7

0.9

V_OH

HIGH-level

output voltage

I_O= −20 µA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 1.1 V to 3.6 V

I_O= −1.1 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 1.1 V

I_O= −1.7 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 1.4 V

I_O= −1.9 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 1.65 V

I_O= −2.3 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 2.3 V

I_O= −3.1 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 2.3 V

I_O= −2.7 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 3.0 V

I_O= −4.0 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 3.0 V

V_I= V_IL

_CC(Y)− 0.1

0.75 × V_CC(Y)

1.11

1.32

2.05

1.9

2.72

2.6

V_OL

LOW-level

output voltage

I_O= 20 µA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 1.1 V to 3.6 V

I_O= 1.1 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 1.1 V

I_O= 1.7 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 1.4 V

I_O= 1.9 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 1.65 V

I_O= 2.3 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 2.3 V

I_O= 3.1 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 2.3 V

I_O= 2.7 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 3.0 V

I_O= 4.0 mA; V_CC(A)= V_CC(Y)= 3.0 V

0.1

µA

0.3 × V_CC(Y)

0.31

0.44

0.31

0.44

I_I

input leakage

current

V_I= GND to V_CC(A)

;

±0.1

_CC(A)= V_CC(Y)= 1.1 V to 3.6 V

74AUP1T34_1

Product data sheet

Rev. 01 — 4 December 2006

4 of 19

1 2 345 6 7...19

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