是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 11 X 11 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.22 |
最长访问时间: | 5 ns | 其他特性: | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 1K X 9; RETRANSMIT; ASYNCHRONOUS MODE IS ALSO POSSIBLE |
备用内存宽度: | 9 | 最大时钟频率 (fCLK): | 133.3 MHz |
周期时间: | 7.5 ns | JESD-30 代码: | S-PBGA-B100 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 11 mm |
内存密度: | 9216 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 512 words | 字数代码: | 512 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512X18 | |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA100,10X10,40 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.5 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 11 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
72V223L7-5BCG8 | IDT |
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FIFO, 512X18, 5ns, Synchronous, CMOS, PBGA100, 11 X 11 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | |
72V223L7-5BCGI | IDT |
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FIFO, 512X18, 5ns, Synchronous, CMOS, PBGA100, 11 X 11 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | |
72V223L7-5PFG | IDT |
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FIFO, 512X18, 5ns, Synchronous, CMOS, PQFP80, GREEN, PLASTIC, TQFP-80 | |
72V223L7-5PFGI | IDT |
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FIFO, 512X18, 5ns, Synchronous, CMOS, PQFP80, GREEN, PLASTIC, TQFP-80 | |
72V225 | RENESAS |
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1K x 18 SyncFIFO, 3.3V | |
72V225L10PF | IDT |
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TQFP-64, Tray | |
72V225L10PF8 | IDT |
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TQFP-64, Reel | |
72V225L10PFG | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SyncFIFO | |
72V225L10PFG8 | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS SyncFIFO | |
72V225L10PFGI | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS SyncFIFO |