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71V67803S166PF8

更新时间： 2024-02-16 10:37:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	512K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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71V67803S166PF8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	3.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.05 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

71V67803S166PF8 数据手册

IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with

3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

Commercial and Industrial Temperature Ranges

FunctionalBlockDiagram

LBO

ADV

CEN

INTERNAL

ADDRESS

Burst

Sequence

256K x 36/

512K x 18-

BIT

MEMORY

ARRAY

CLK

Burst

Logic

18/19

Binary

Counter

ADSC

A0*

A1*

CLR

ADSP

CLK EN

A0,A1

A2–A18

A0–A17/18

ADDRESS

36/18

18/19

Byte 1

Write Register

BWE

Byte 1

Write Driver

Byte 2

Write Register

Byte 2

Write Driver

BW2

Byte 3

Write Register

Byte 3

Write Driver

BW3

BW4

Byte 4

Write Register

Byte 4

Write Driver

OUTPUT

CS⁰

Enable

DATA INPUT

CLK EN

Powerdown

Enable

Delay

OUTPUT

BUFFER

36/18

I/O0–I/O31

I/OP1–I/OP4

5301 drw 01

6.42

1 234 5 6 7...23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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