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71V67803S166PF8

更新时间: 2024-02-10 14:32:17
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 512K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

71V67803S166PF8 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数:100Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.23Is Samacsys:N
最长访问时间:3.5 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):166 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:100字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.05 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.34 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:14 mm
Base Number Matches:1

71V67803S166PF8 数据手册

 浏览型号71V67803S166PF8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号71V67803S166PF8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号71V67803S166PF8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号71V67803S166PF8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号71V67803S166PF8的Datasheet PDF文件第9页浏览型号71V67803S166PF8的Datasheet PDF文件第10页 
IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 256K x 36, 119 BGA  
1
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DDQ  
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A
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A17  
NC  
NC  
CS  
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P3  
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K
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CLK  
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A
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P4  
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A
(1)  
NC  
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A
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,
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ZZ  
DNU(3)  
DNU(3)  
U
V
DNU(3)  
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DDQ  
DDQ  
V
5310 drw 04  
Top View  
Pin Configuration – 512K x 18, 119 BGA  
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DDQ  
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DDQ  
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A
B
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A
A
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ADSP  
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(4)  
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V
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A
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DD  
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A
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/ NC  
NC  
NC  
DDQ  
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(2)  
,
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15  
A
14  
A
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A
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ZZ  
DNU(3)  
DDQ  
V
DNU(3)  
DNU(3)  
U
V
DNU(3)  
DNU(3)  
5310 drw 05  
Top View  
NOTES:  
1. R5 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage VIH, or left unconnected.  
2. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
3. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.  
4. On future 18M device CS0 will be removed, B2 will be used for address expansion.  
6.42  
7

与71V67803S166PF8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
71V67803Z150BGG IDT

获取价格

Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA,
71V67803Z150BGGI IDT

获取价格

Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA,
71V67902S80PF9 IDT

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TQFP-100, Tray
71V67903 RENESAS

获取价格

3.3V 512K x 18 Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM
71V6790375BGG IDT

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3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
71V6790375BGG8 IDT

获取价格

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
71V6790375BGGI IDT

获取价格

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
71V6790375BGGI8 IDT

获取价格

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
71V6790375BQG IDT

获取价格

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
71V6790375BQG8 IDT

获取价格

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect