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71V67803150BGG

更新时间: 2024-02-07 15:05:37
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 424K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

71V67803150BGG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:BGA,针数:119
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.67
最长访问时间:3.8 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e1
长度:22 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:119字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.36 mm最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:BALL端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

71V67803150BGG 数据手册

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IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 512K x 18, 100-Pin TQFP  
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81  
1
80  
79  
78  
77  
NC  
NC  
NC  
A
NC  
NC  
10  
2
3
4
V
DDQ  
VDDQ  
5
VSS  
76  
75  
74  
73  
VSS  
6
NC  
NC  
I/O8  
NC  
I/OP1  
I/O  
7
8
7
9
I/O9  
72  
71  
I/O  
6
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
VSS  
VSS  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
V
DDQ  
VDDQ  
I/O10  
I/O11  
I/O  
I/O  
5
4
V
DD / NC(1)  
VSS  
VDD  
NC  
NC  
V
DD  
ZZ(2)  
V
SS  
I/O12  
I/O13  
63  
62  
61  
60  
59  
I/O  
I/O  
3
2
V
DDQ  
V
V
DDQ  
SS  
VSS  
I/O14  
I/O15  
I/OP2  
NC  
I/O  
I/O  
NC  
NC  
1
58  
57  
56  
55  
0
VSS  
VSS  
,
54  
53  
V
DDQ  
VDDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
52  
51  
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  
5310 drw 03  
Top View  
NOTES:  
1. Pin 14 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage VIH, or left unconnected.  
2. Pin 64 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
6.42  
6

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
71V67803150BGGI IDT Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA,

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71V67803150BQGI IDT Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

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71V67803150PFG IDT Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS CO

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71V67803150PFGI IDT Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS CO

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71V67803166BGG IDT Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA,

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71V67803S133BG IDT PBGA-119, Tray

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