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71V67803150BGG

更新时间: 2024-02-22 04:13:02
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 424K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

71V67803150BGG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:BGA,针数:119
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.67
最长访问时间:3.8 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e1
长度:22 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:119字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.36 mm最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:BALL端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

71V67803150BGG 数据手册

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IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 256K x 36, 119 BGA  
1
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K
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CLK  
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A
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(1)  
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A
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A
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(2)  
,
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NC  
ZZ  
DDQ  
V
DNU(3)  
DNU(3)  
DDQ  
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U
DNU(3)  
DNU(3)  
5310 drw 04  
Top View  
Pin Configuration – 512K x 18, 119 BGA  
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P1  
NC  
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I/O  
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A
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NC  
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A
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(1)  
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A
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DD / NC  
NC  
LBO  
(2)  
,
10  
15  
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A
11  
A
A
A
NC  
ZZ  
DNU(3)  
DDQ  
V
5310 drw 05  
DNU(3)  
DNU(3)  
U
V
DNU(3)  
DNU(3)  
Top View  
NOTES:  
1. R5 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage VIH, or left unconnected.  
2. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
3. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.  
4. On future 18M device CS0 will be removed, B2 will be used for address expansion.  
6.42  
7

与71V67803150BGG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
71V67803150BGGI IDT

获取价格

Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA,
71V67803150BQGI IDT

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Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
71V67803150PFG IDT

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Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS CO
71V67803150PFGI IDT

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Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS CO
71V67803166BGG IDT

获取价格

Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA,
71V67803S133BG IDT

获取价格

PBGA-119, Tray
71V67803S133BG8 IDT

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PBGA-119, Reel
71V67803S133BGG8 IDT

获取价格

PBGA-119, Reel
71V67803S133BGI IDT

获取价格

Standard SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119
71V67803S133BQG ROCHESTER

获取价格

512KX18 STANDARD SRAM, 4.2ns, PBGA165, 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, BGA-165