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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.67 |
| 最长访问时间： | 3.8 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX18 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.36 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V67803150BGGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, |
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| 71V67803150BQGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 |
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| 71V67803150PFG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS CO |
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| 71V67803150PFGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS CO |
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| 71V67803166BGG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, |
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| 71V67803S133BG | IDT |
获取价格 |
PBGA-119, Tray |
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| 71V67803S133BG8 | IDT |
获取价格 |
PBGA-119, Reel |
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| 71V67803S133BGG8 | IDT |
获取价格 |
PBGA-119, Reel |
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| 71V67803S133BGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119 |
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| 71V67803S133BQG | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX18 STANDARD SRAM, 4.2ns, PBGA165, 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, BGA-165 |
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