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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | QFP, QFP100,.63X.87 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.56 |
| 最长访问时间： | 4.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 117 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.045 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.285 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.635 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 71V546XS133PFG | IDT | 3.3V Synchronous SRAM |
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| 71V546XS133PFGI | IDT | 3.3V Synchronous SRAM |
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| 71V547 | RENESAS | 3.3V 128K x 36 ZBT Synchronous Flow-Through SRAM |
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| 71V547S100PFG | IDT | Synchronous SRAM |
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| 71V547S100PFG8 | IDT | Synchronous SRAM |
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| 71V547S100PFGI | IDT | Synchronous SRAM |
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