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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | SOP, TSOP44,.46,32 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 1.62 |
| 最长访问时间： | 15 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 18.41 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.145 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 71V424S15PHGI8 | IDT |
完全替代  |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S15PHG | IDT |
完全替代 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S15PHGI | IDT |
完全替代 |
TSOP-44, Tube |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V424L15PHG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424L15PHGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424L15PHGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424L15YG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424L15YG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424L15YGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424L15YGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S10PHG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S10PHG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V424S10PHGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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