是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.16 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.16 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
71V416L15PHGI8 | IDT |
完全替代 |
3.3V CMOS Static RAM | |
71V416L15PHGI | IDT |
完全替代 |
3.3V CMOS Static RAM | |
71V416L15PHG8 | IDT |
功能相似 |
3.3V CMOS Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V416L15PHI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
71V416L15Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | |
71V416L15Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | |
71V416L15YG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM | |
71V416L15YG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM | |
71V416L15YGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM | |
71V416L15YGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM | |
71V416L15YI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | |
71V416S10BEG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM | |
71V416S10BEG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |