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71V416S10PHGI8

更新时间： 2024-11-12 00:23:27

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艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	645K
描述
3.3V CMOS Static RAM

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71V416S10PHGI8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2,	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.63
最长访问时间：	10 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

71V416S10PHGI8 数据手册

IDT71V416S

IDT71V416L

3.3V CMOS Static RAM

4 Meg (256K x 16-Bit)

Features

Description

◆

256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.

Equal access and cycle times

TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganized

as 256K x 16. It is fabricated using high-performance, high-reliability

CMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinno-

vativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

speed memory needs.

◆

– CommercialandIndustrial:10/12/15ns

One Chip Select plus one Output Enable pin

Bidirectional data inputs and outputs directly

LVTTL-compatible

◆

TheIDT71V416hasanoutputenablepinwhichoperatesasfastas

5ns,withaddressaccesstimesasfastas10ns.Allbidirectionalinputsand

outputsoftheIDT71V416areLVTTL-compatibleandoperationisfroma

single3.3Vsupply.Fullystaticasynchronouscircuitryisused,requiring

no clocks or refresh for operation.

◆

Low power consumption via chip deselect

Upper and Lower Byte Enable Pins

Single 3.3V power supply

Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-

pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array,

9mmx9mmpackage.

The IDT71V416 is packaged in a 44-pin, 400 mil Plastic SOJ and a

44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x

9mmpackage.

◆

Green parts available, see ordering information

FunctionalBlockDiagram

Output

Enable

Buffer

Address

Buffers

Row / Column

Decoders

A0 - A17

High

Byte

I/O 15

I/O 8

Output

Chip

Select

Buffer

High

Byte

Write

Sense

Amps

and

Write

Drivers

4,194,304-bit

Memory

Array

Buffer

Write

Enable

Buffer

Low

Byte

I/O 7

I/O 0

Output

Buffer

Low

Byte

Write

Buffer

BHE

BLE

Byte

Enable

Buffers

3624 drw 01

NOVEMBER 2016

DSC-3624/11

12 3 4 5 6 7...9

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71V416S10PHGI8 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
71V416S10PHGI	IDT	完全替代	3.3V CMOS Static RAM

与71V416S10PHGI8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
71V416S10Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
71V416S10YG	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V416S10YG8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V416S10YGI	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V416S10YGI8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Single 3.3V power supply
71V416S12BEG	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
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71V416S12BEGI	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
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71V416S12PH	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44

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