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71V416S10BEI8

更新时间： 2024-11-11 15:26:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	101K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48

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71V416S10BEI8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	9 X 9 MM, BGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.39	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	9 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	4
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

71V416S10BEI8 数据手册

3.3V CMOS Static RAM

4 Meg (256K x 16-Bit)

IDT71V416S

IDT71V416L

Description

Features

◆

TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganized

as256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliability

CMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinno-

vativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

speedmemoryneeds.

256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆

JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.

Equal access and cycle times

◆

– CommercialandIndustrial:10/12/15ns

One Chip Select plus one Output Enable pin

Bidirectional data inputs and outputs directly

◆

TheIDT71V416has anoutputenablepinwhichoperates as fastas

5ns,withaddressaccesstimesasfastas10ns.Allbidirectionalinputsand

outputsoftheIDT71V416areLVTTL-compatibleandoperationisfroma

single3.3Vsupply.Fullystaticasynchronouscircuitryisused,requiring

noclocks orrefreshforoperation.

The IDT71V416 is packaged in a 44-pin, 400 mil Plastic SOJ and a

44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x

9mmpackage.

LVTTL-compatible

Low power consumption via chip deselect

Upper and Lower Byte Enable Pins

Single 3.3V power supply

◆

Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-

pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array,

9mm x 9mm package.

FunctionalBlockDiagram

Output

Enable

Buffer

Address

Buffers

Row / Column

Decoders

A0 - A17

High

Byte

Output

Buffer

I/O 15

I/O 8

Chip

Select

Buffer

High

Byte

Write

Buffer

Sense

Amps

and

Write

Drivers

4,194,304-bit

Memory

Array

Write

Enable

Buffer

Low

Byte

I/O 7

I/O 0

Output

Buffer

Low

Byte

Write

Buffer

BHE

BLE

Byte

Enable

Buffers

3624 drw 01

JULY 2003

DSC-3624/07

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
71V416S10PH	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
71V416S10PH8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
71V416S10PHG	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V416S10PHG8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V416S10PHGI	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V416S10PHGI8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V416S10Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
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