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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | CABGA |
| 包装说明： | BGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 1.54 |
| 最长访问时间： | 10 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 71V416S10BEG8 | IDT |
完全替代  |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V416S10BEG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416S10BEGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416S10BEGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416S10BEI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 |
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| 71V416S10BEI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 |
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| 71V416S10PH | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| 71V416S10PH8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| 71V416S10PHG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416S10PHG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416S10PHGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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