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71V416L15PHI

更新时间: 2024-09-27 14:46:59
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罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 782K
描述
256KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

71V416L15PHI 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TSOP2
包装说明:0.400 INCH, TSOP2-44针数:44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
Is Samacsys:N最长访问时间:15 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM功能数量:1
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

71V416L15PHI 数据手册

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