是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 8.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 87 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e1 | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 165 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.035 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.19 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V3579YS85PFGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100 | |
71V3579YS85PFGI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100 | |
71V3579YSA75BGG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, BGA-119 | |
71V3579YSA75BQG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 | |
71V3579YSA80BG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119 | |
71V3579YSA80BGI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119 | |
71V3579YSA80BQG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA165 | |
71V3579YSA80BQGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 | |
71V3579YSA80BQI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA165 | |
71V3579YSA85BQ | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165 |