是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP, TSOP44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.2 |
Samacsys Description: | TSOP TYPE II 10.2 X 18.4 MM | 最长访问时间: | 10 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 44 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.18 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
71V416S10PHGI | IDT |
完全替代 ![]() |
3.3V CMOS Static RAM |
![]() |
71V416L10PHGI | IDT |
完全替代 ![]() |
3.3V CMOS Static RAM |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V416L10Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 |
![]() |
71V416L10Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 |
![]() |
71V416L10YG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
![]() |
71V416L10YG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
![]() |
71V416L10YGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
![]() |
71V416L10YGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
![]() |
71V416L10YI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44 |
![]() |
71V416L12BEG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
![]() |
71V416L12BEG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
![]() |
71V416L12BEGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
![]() |